[发明专利]一种多级存储的基于AlScN薄膜的铁电存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202211497523.2 | 申请日： | 2022-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN115863435A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 常晶晶;崔东升;林珍华;薛怡馨;苏杰;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种多级存储的基于AlScN薄膜的铁电存储器及其制备方法，该铁电存储器包括：下电极(1)、Al |
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| 搜索关键词： | 一种 多级 存储 基于 alscn 薄膜 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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