[发明专利]一种降低表面颗粒的单片晶片清洗方法在审
| 申请号： | 202211504380.3 | 申请日： | 2022-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN115799045A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 向齐涛;柏友荣;陈杰;刘浦锋;聂环;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201616 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种降低晶片表面颗粒度的清洁方法，所述方法包括如下步骤：S1，向旋转的晶片表面喷射氧化剂，在晶片表面形成均匀的氧化层；S2，向旋转的晶片表面喷射清洗剂，通过去除氧化层达到去除颗粒、有机物、金属杂质等各类污染物的目的；S3，向旋转的晶片表面再次喷射氧化剂，在晶片表面形成均匀的氧化层以保护晶片表面；S4，向旋转的晶片表面喷射去离子水，以对晶片表面进行漂洗；S5，向旋转的晶片表面喷射高纯氮气，以对晶片表面进行干燥。本发明是通过在不同转速下调节ULPA的输出功率来控制内部风压在不同阶段不同转速下保持0±2帕的稳定范围内的目的，减少了颗粒污染物在晶片表面的吸附，从而提高产品的良品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 表面 颗粒 单片 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司，未经上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211504380.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
