[发明专利]一种压电薄膜传感器及制备方法在审
| 申请号： | 202211506179.9 | 申请日： | 2022-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN116367694A | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王凤起;廖成;冉小龙;叶勤燕;何绪林;罗坤;郑兴平 | 申请（专利权）人： | 中物院成都科学技术发展中心 |
| 主分类号： | H10N30/30 | 分类号： | H10N30/30;H10N30/50;H10N30/057 |
| 代理公司： | 北京麦宝利知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11733 | 代理人： | 刘丽萍 |
| 地址： | 610200 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种压电薄膜传感器及制备方法，属于薄膜传感器技术领域，压电薄膜传感器包括层叠设置的n层压电层和n+1层电极层，压电层位于相邻的两层电极层之间，且相邻压电层并联设置，n≥2；其中，第n层压电层与第n层电极层之间形成阶梯结构，测试状态下，测试设备通过阶梯结构对薄膜传感器施加电压。本发明通过在第n层压电层与第n层电极层之间设置阶梯结构，在测试状态下测试设备可通过阶梯结构直接对压电薄膜传感器施加电压进行快速测试，无需外接引线，具有制备简单、易集成、大位移量的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压电 薄膜 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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