[发明专利]一种硫化镉单晶片的抛光方法在审
| 申请号： | 202211507767.4 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN116038530A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 何雯瑾;陈建才;张丽霞;杨雪;种苏然;吴宇;李德香;李宗勤 | 申请（专利权）人： | 云南昆物新跃光电科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24B1/00;B24B57/02 |
| 代理公司： | 北京艾纬铂知识产权代理有限公司 16101 | 代理人： | 张维佳 |
| 地址： | 650223 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硫化镉单晶片的抛光方法，属于光电材料技术领域。所述方法通过粗磨、粗抛、一次精抛和二次精抛四道工序，每道工序采用特定的抛光液，并配合抛光盘的转速、压强以及抛光液的滴速，利用抛光液的化学作用和磨盘的机械作用，实现了对硫化镉单晶片表面的精密平整化加工，能够有效避免二次缺陷，加工出完美硫化镉单晶片，经过所述方法加工的硫化镉单晶片的表面在放大100倍的显微镜下无划伤，弥补了硫化镉单晶片精密加工领域的空白。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 晶片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南昆物新跃光电科技有限公司，未经云南昆物新跃光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211507767.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双馈风电场控制参数对次同步振荡影响的分析方法
- 下一篇：一种电机测试装置
