[发明专利]CMOS图像传感器的工艺方法在审
| 申请号： | 202211508362.2 | 申请日： | 2022-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN116110918A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 滕赛楠;郭振强;邹怀远;吴天承 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器的工艺方法，在半导体衬底上形成外延嵌入层；通过生长外延嵌入层的过程对所述CMOS图像传感器的形成区域进行预掺杂，提前储备部分需要的掺杂杂质，以降低后续离子注入的注入能量及注入剂量。本发明通过额外进行N型EPI生长的方式对像素区进行预掺杂，提前补充大量的N型杂质，使得该结构在后续的工艺中无需再大能量、大剂量的离子注入，从而可以减轻制程中大能量离子注入对硅晶格的损伤，从而显著改善其白点缺陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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