[发明专利]宽波段的可饱和吸收体及多孤子态激光器

摘要

本申请公开了宽波段的可饱和吸收体及多孤子态激光器。本申请的第一方面，提供二维硫化锗在可饱和吸收体材料、可饱和吸收体器件、激光器和设备中的应用。根据本申请实施例的应用，至少具有如下有益效果：申请人在实验过程中发现，GeS二维材料具有1.6eV左右的窄带隙，并且带隙大小可以通过外部应变调谐，因而推测其具有宽波段的可饱和吸收性，并通过实验证实了基于GeS二维材料的可饱和吸收体器件的宽波段响应性。进一步以基于GeS二维材料制成可饱和吸收体器件的激光器对于高泵浦功率耐受性好，在高泵浦功率下会发生脉冲分裂，导致多脉冲锁模和谐波锁模，产生多孤子态现象，从而使这一激光器具有一定的研究价值和应用价值。