[发明专利]一种多孔氮化硅陶瓷材料及其去除残碳的方法在审
| 申请号： | 202211526810.1 | 申请日： | 2022-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN115872784A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 张冰清;韩耀;张剑;崔凤单;吴焘 | 申请（专利权）人： | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
| 主分类号： | C04B41/91 | 分类号： | C04B41/91;C04B41/00;C04B38/00;C04B35/589 |
| 代理公司： | 北京格允知识产权代理有限公司 11609 | 代理人： | 谭辉 |
| 地址： | 100074 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多孔氮化硅陶瓷材料及其去除残碳的方法。所述方法包括：对多孔氮化硅陶瓷材料进行微波加热；在有氧环境下进行初始热处理；在无氧环境下进行进一步热处理。本发明方法采用微波加热处理的方式对陶瓷材料中弥散的自由残碳进行选择性加热，可在较低的处理温度下达到较好的除碳效果，抑制了高温热处理对陶瓷材料的表面氧化损伤；而且，采用有氧气氛与无氧气氛组合从而分别利用氧气的氧化性以及氨气的置换性，可大幅提高残碳的去除速率及去除效率、缩短除碳时间，操作简便、工艺稳定且去除效率高。本发明还涉及由所述方法获得的低残碳多孔氮化硅陶瓷材料，其特别适合应用于高速飞行器透波构件制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 氮化 陶瓷材料 及其 去除 方法 | ||
【主权项】：
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