[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211534560.6 | 申请日： | 2021-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN116013957A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 杜子明;李长安;杜卫星;游政昇 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/20;H01L29/40;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括第一、第二氮基半导体层、栅极电极、源极电极、漏极电极和一群负电荷离子。栅极电极设置在第二氮基半导体层上方。源极电极和漏极电极设置在第二氮基半导体层上方。栅极电极位于源极电极和漏极电极之间，以界定栅极电极和漏极电极之间的漂移区。将一群负电荷离子注入漂移区和2DEG区，并与栅极电极和漏极电极隔开，与栅极电极和漏极电极正下方的区隔开。栅极电极比漏极电极更接近负电荷离子，以使负电荷离子耗尽栅极电极附近的2DEG区域的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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