[发明专利]一种具有微纳阵列结构的聚偏氟乙烯基铁电薄膜的制备方法及其产品和应用在审
| 申请号： | 202211539689.6 | 申请日： | 2022-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN115850779A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 吕福;黄玉辉;吴勇军;洪子健;施钧辉;陈睿黾 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;之江实验室 |
| 主分类号： | C08J7/12 | 分类号： | C08J7/12;C08J7/00;C08J5/18;C08L27/16 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 白静兰 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有微纳阵列结构的聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)铁电薄膜的制备方法：(1)将聚偏氟乙烯基聚合物粉末溶解在有机溶剂中，搅拌至完全溶解，得到均匀透明溶液；(2)取步骤(1)得到的均匀透明溶液滴注在导电基底上，干燥后去除有机溶剂得到透明的聚偏氟乙烯基薄膜；(3)将步骤(2)得到的聚偏氟乙烯基薄膜进行热处理的同时在针尖上施加电场，使其击穿空气形成电晕电场，并在不同图案的导电网栅上施加电场调控电晕电场的再分布，制备得到具有微纳阵列结构的聚偏氟乙烯基铁电薄膜。本发明提供的制备方法的工艺简单、过程可控、成本低廉和实用性强，所制备得到的聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯)具有清晰的微纳阵列结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 阵列 结构 聚偏氟 乙烯基 薄膜 制备 方法 及其 产品 应用 | ||
【主权项】：
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