[发明专利]提高MicroLED芯片亮度的方法在审
| 申请号： | 202211549463.4 | 申请日： | 2022-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN115763662A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 何赟;罗珊 | 申请（专利权）人： | 深圳市帝晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 鲁勇杰 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及光电器件领域，具体公开了提高Micro LED芯片亮度的方法。提高Micro LED芯片亮度的方法，包括如下步骤：步骤一：使用金属有机化学气相沉积法在半导体衬底上生成N‑GaN半导体层；步骤二：对N‑GaN半导体层远离半导体衬底的平面进行蚀刻，得到表面生成棱形的N‑GaN半导体层；步骤三：使用金属有机化学气相沉积法在蚀刻出棱形的N‑GaN半导体层上生成量子阱；步骤四：使用金属有机化学气相沉积法在量子阱上生成P‑GaN半导体层；步骤五：对P‑GaN半导体层远离半导体衬底的平面进行刻蚀，在P‑GaN半导体层表面生成与P‑GaN半导体层表面棱形正相交的棱形。本申请具有提高光循环利用率进而提高Micro LED芯片亮度的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 microled 芯片 亮度 方法 | ||
【主权项】：
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