[发明专利]半导体芯片的制造方法及半导体芯片在审
| 申请号： | 202211554015.3 | 申请日： | 2022-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN115763541A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 张海雷;钟庆 | 申请（专利权）人： | 国创重芯科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市中融创智专利代理事务所(普通合伙) 44589 | 代理人： | 李朦;叶垚平 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区梅林街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体芯片的制造方法，包括如下步骤：在半导体基片上生长硬掩模介质层，所述半导体基片包括浓掺杂的衬底和轻掺杂的外延层，衬底和外延层的掺杂类型为N型；以硬掩模介质层为阻挡层，采用光刻、刻蚀工艺，在半导体基片上形成沟槽；去除所述硬掩模介质层，生长第一氧化硅、氮化硅以及第二氧化硅；采用化学机械研磨工艺，去除高出所述氮化硅上表面的第二氧化硅，保留所述沟槽中的第二氧化硅；采用离子注入、退火工艺，在所述外延层之中形成第一P型掺杂区和第二P型掺杂区；本发明提供半导体芯片，本发明公开的半导体芯片的制造方法及半导体芯片具有EAS特性和阈值电压更稳定等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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