[发明专利]一种基于两层光罩的沟槽MOSFET及其制造方法有效
| 申请号： | 202211556239.8 | 申请日： | 2022-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN115621127B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 薛璐;李加洋;吴磊;胡兴正;刘海波 | 申请（专利权）人： | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/027;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京瑞华腾知识产权代理事务所(普通合伙) 32368 | 代理人： | 徐冲冲 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于两层光罩的沟槽MOSFET及其制造方法。该方法包括在外延层的表面淀积一层二氧化硅层，然后第一步刻蚀形成沟槽的上端部分，第二步刻蚀形成沟槽的下端部分，所述沟槽的上端部分侧壁向外倾斜设置，终端区内的相邻的两个沟槽的下端部分之间的距离为a，有源区内的相邻的两个沟槽的下端部分的中部之间的距离为b，a＜b，且其两端延伸至终端区内，并与终端区内用以引出gate的沟槽连接，有源区内的相邻的两个沟槽的下端部分的两端之间的距离缩小。本发明通过刻蚀工艺调整沟槽的形貌，以及结合版图结构设计，仅需两层光罩即可实现传统沟槽MOSFET的性能；工艺简单，可与传统工艺兼容，可减少制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 两层光罩 沟槽 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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