[发明专利]半导体器件模型的建模方法及其建模系统在审
申请号: | 202211565432.8 | 申请日: | 2022-12-07 |
公开(公告)号: | CN115828817A | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 秦苏梅 | 申请(专利权)人: | 上海积塔半导体有限公司 |
主分类号: | G06F30/367 | 分类号: | G06F30/367;G06F30/392;G06F30/398 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 史治法 |
地址: | 200135 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及一种半导体器件模型的建模方法及其建模系统。所述半导体器件模型的建模方法,包括以下步骤:在不同测量条件下分别对半导体器件中的每个晶体管进行电性测试,以得到各晶体管的电性参数。对各晶体管的电性参数的曲线进行拟合,以得到各晶体管的模型参数。对测量条件、各晶体管的电性参数和各晶体管的模型参数进行描述,以得到各晶体管的晶体管模型。基于各晶体管的晶体管模型组建半导体器件模型。上述半导体器件模型的建模方法大大增加了半导体器件模型的精确度,进而有利于集成电路设计者的电路设计、仿真。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 模型 建模 方法 及其 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海积塔半导体有限公司,未经上海积塔半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211565432.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。