[发明专利]横向功率半导体器件在审
| 申请号： | 202211566422.6 | 申请日： | 2022-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN116247083A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡诺·达尔卡纳莱;亚当·布朗;吉姆·帕金 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾欣;龙涛峰 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向功率半导体器件，包括：源极焊盘区域，其形成在器件的金属层中；漏极焊盘区域，其与源极焊盘间隔开并形成在器件的该金属层中；多个导电指状物，其形成在器件的另一金属层中，并且包括：多个平行的源极指状物，其联接到源极焊盘区域并从源极焊盘区域朝向漏极焊盘区域延伸至漏极焊盘区域下方，以及多个平行的漏极指状物，其与多个源极指状物隔离，并且联接到漏极焊盘区域并从漏极焊盘区域朝向源极焊盘区域延伸至源极焊盘区域下方，漏极指状物叉指式布置在源极指状物之间；漏极焊盘区域包括分别与多个漏极焊盘对应的多个漏极指状物，其中多个漏极焊盘通过与延伸到漏极焊盘区域下方的源极指状物的位置相对应的间隔而彼此隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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