[发明专利]一种MXene与NiO2在审

专利信息
申请号: 202211573279.3 申请日: 2022-12-08
公开(公告)号: CN115835772A 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 宁静;黄晶晶;冯欣;王东;张进成;马佩军;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
主分类号: H10N70/20 分类号: H10N70/20;H10B63/00
代理公司: 广东省中源正拓专利代理事务所(普通合伙) 44748 代理人: 朱靖华
地址: 710000 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种MXene与NiO2复合材料忆阻器的制备方法,属于半导体器件制备技术领域,包括以下步骤:首先通过混合法制备MXene‑NiO2水悬浮液;再利用等离子氧设备对目标衬底进行表面清洁处理,并旋涂一层APTES增强目标衬底的粘附性;然后水悬浮液旋转涂覆在目标衬底上,并高温退火;最后利用电子束蒸发设备在MXene‑NiO2复合材料薄膜上沉积金属顶电极。本发明制作的忆阻器是简单的三明治结构,易于三维集成,与CMOS等器件兼容,能够实现电阻阈值转换的功能,并可实现作为人工突触用于神经网络。
搜索关键词: 一种 mxene nio base sub
【主权项】:
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