[发明专利]基于等离子体处理的低维半导体材料晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202211575582.7 | 申请日： | 2022-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN115881537A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 包文中;盛楚明;孙正宗;童领 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/12;H01L21/223;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于等离子体处理的低维半导体材料晶体管制备方法。本发明方法包括：提供低维半导体材料结构的工件并制备成样品；在真空腔室中通入气体电离形成等离子体，与源极/漏极接触区域的低维半导体材料发生反应；原位真空沉积电极，形成低维半导体材料与电极的源极/漏极接触区域；最后进行剥离工艺，完成晶体管的制备。本发明可降低低维半导体材料与电极的源极/漏极接触区域的界面态缺陷密度、费米钉扎效应，提高晶体管的开态电流密度，并增加半导体材料晶圆上芯片元器件的可靠性和器件良率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 等离子体 处理 半导体材料 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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