[发明专利]一种纳米级硅片划痕检测方法在审
| 申请号： | 202211580624.6 | 申请日： | 2022-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN115753826A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 张建宏;杜晋;朱亚东;盛正毅 | 申请（专利权）人： | 扬州市职业大学（扬州开放大学） |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01N21/64 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种纳米级硅片划痕检测方法，涉及半导体硅片表面缺陷检测领域，在硅片表面划痕内生长出一层荧光分子，然后用荧光超分辨率显微镜对硅片表面进行成像检测出硅片表面的划痕，在硅片表面划痕内生长出一层荧光分子的步骤是，首先在硅片表面生长一层均匀的二氧化硅薄膜，然后以金属硫脲基配位化学键的方式在硅片表面铺设上一层荧光分子，采用抛光和荧光漂白的方法去除掉除了硅片划痕内其他硅片表面的荧光分子。本发明提供的纳米级硅片划痕检测方法具有高效、高对比度、能够达到数个纳米级检测精度的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 硅片 划痕 检测 方法 | ||
【主权项】：
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