[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202211581689.2 | 申请日： | 2022-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN115939193A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 左慧玲;朱春林;马克·加日达;姜克;张须坤;向军利;施金汕;方园 | 申请（专利权）人： | 安世半导体科技（上海）有限公司;安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 麦善勇;张天舒 |
| 地址： | 200025 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括多个元胞，每个元胞包括栅极。所述半导体器件包括栅极焊点、栅极总线和多条栅线，所述栅极总线将所述栅极焊点连接至所述多条栅线，所述多条栅线将所述栅极总线连接至所述多个元胞的栅极，所述多条栅线沿第一轴线布置。所述栅极总线包括沿第二轴线布置的多个第一部分，所述第二轴线与所述第一轴线相交，所述多个第一部分彼此间隔开以将所述半导体器件划分为多个发射区块。所述多个发射区块沿所述第一轴线的长度随着相对于所述栅极焊点的距离而变化，使得从所述栅极焊点经由所述栅极总线和所述多条栅线到达所述多个元胞的栅极的栅极信号大致一致。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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