[发明专利]一种晶圆保温装置和一种晶圆保温方法在审
申请号: | 202211582282.1 | 申请日: | 2022-12-09 |
公开(公告)号: | CN115896752A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 贾兰;周伟杰;费腾;景涛 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/458;C23C14/54;C23C14/50 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐迪 |
地址: | 110171 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶圆保温装置和晶圆保温方法。该晶圆保温装置设置于半导体加工设备的反应腔内,其特征在于,包括:一片式阻隔环和设置于其下方的升降机构,所述晶圆保温装置处于晶圆工艺模式时,所述一片式阻隔环经由所述升降机构上升至抵住所述反应腔,以将所述反应腔内的晶圆与外部的所述传片通道阻隔。本发明不仅能够较好地隔离反应腔与传片通道,均匀反应腔内的温度,而且还能够避免分块式的阻隔件之间接触摩擦产生的颗粒落入晶圆上的薄膜,提升薄膜的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 一种 保温 装置 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的