[发明专利]紫外发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202211584855.4 | 申请日： | 2022-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN115763660A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 张爽;张会雪;罗红波;张毅 | 申请（专利权）人： | 湖北深紫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/24;H01L33/22;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 甄伟军 |
| 地址： | 436044 湖北省鄂州市梁*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种紫外发光二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。该紫外发光二极管包括衬底、外延层、第二图形化N型层和第二图形化P型层，外延层包括依次层叠在衬底上的缓冲层、第一N型层、多量子阱层和第一P型层，第一P型层上开设有延伸至第一N型层的第一凹槽，第一凹槽内的第一N型层上开设有向衬底延伸的第二凹槽；第二图形化N型层位于第一凹槽槽底和/或第二凹槽槽底的第一N型层上；第二图形化P型层位于第一凹槽外的第一P型层上。通过设置第一凹槽和第二凹槽，并采用第二图形化N型层和第二图形化P型层替代原有的N型电极和P型电极结构，可以削弱器件内部的光子全反射效应与吸收损耗，提高紫外LED的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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