[发明专利]碳化硅MOSFET栅氧化层的制备方法在审
| 申请号： | 202211594681.X | 申请日： | 2022-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN116053122A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 薄洪生;单双;徐永斌;冯东明;王哲 | 申请（专利权）人： | 江苏昕感科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京惟专知识产权代理事务所(普通合伙) 16074 | 代理人： | 赵星 |
| 地址： | 214429 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种碳化硅MOSFET栅氧化层的制备方法，属于半导体器件制造技术领域，该方法包括：对一晶圆片进行前道工序处理获取SiC衬底；对所述SiC衬底的表面进行预处理；对经过预处理的SiC衬底表面进行钝化掺杂处理；根据需要生长的栅氧化层厚度在经过钝化掺杂处理的SiC衬底表面ALD沉积单晶硅薄膜；对所述单晶硅薄膜进行氧化处理获取栅氧化层。本申请提供的方法通过对经过预处理的SiC衬底表面进行钝化掺杂、ALD沉积单晶硅薄膜，可改善沟道迁移率的同时提高栅氧化层的致密性及电性能；此外，根据所需栅氧厚度控制沉积单晶硅薄膜的厚度，控制单晶硅薄膜进行氧化使Si完全氧化并停在SiC表面形成栅氧化层，可解决SiC/SiO |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 mosfet 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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