[发明专利]一种高反射率晶体硅碱抛光添加剂及其使用方法在审
| 申请号： | 202211595100.4 | 申请日： | 2022-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN115975512A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 武圆圆;周浩;常帅锋;李斯良;丁雁鸿 | 申请（专利权）人： | 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/04 | 分类号： | C09G1/04;H01L21/306 |
| 代理公司： | 浙江嘉腾专利代理有限公司 33515 | 代理人： | 黄江 |
| 地址： | 314031 浙江省嘉兴市秀洲区康和*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高反射率晶体硅碱抛光添加剂及其使用方法，由以下质量百分比的原料组成：促进剂0.1％～5％，络合剂0.1％～2％，脱泡剂0.05％～1％，缓蚀剂0.1％～2％，pH调节剂0.1％～6％，余量为去离子水。取适量碱抛光添加剂加入碱性溶液中，混合均匀后配成抛光液，放入硅片完成抛光反应。本发明提供的一种高反射率晶体硅碱抛光添加剂及其使用方法，采用碱性抛光技术，工艺稳定性更好，降低酸的消耗及排放，反应产生的污染较少，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反射率 晶体 抛光 添加剂 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
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