[发明专利]一种大功率SiC型MOSFET的隔离驱动电路

摘要

本发明公开了一种大功率SiC型MOSFET的隔离驱动电路，包括变压器隔离部分、控制部分、功率驱动部分、抖动抑制部分和功率MOSFET部分，所述变压器隔离部分的一侧连接有控制部分，所述控制部分包括R1、R3、R5、R7、R9、R11、N1、NM1、D1、D2、D5与D7，所述控制部分的一侧连接有功率驱动部分，所述功率驱动部分包括R13、R15、N3、D9、P1、C1与C3，所述功率驱动部分的一侧连接有抖动抑制部分，所述抖动抑制部分包括R17、R18、R21、D11、N5、P3、PM1与PM1GND，所述抖动抑制部分的一侧连接有功率MOSFET部分。本发明通过该电路与之前的驱动电路相比，有效地对控制驱动、功率驱动进行了划分，功率电的异常不会影响控制的时序，控制的电流回路在前期就进行了隔离和防护。