[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法在审
申请号: | 202211596598.6 | 申请日: | 2022-12-12 |
公开(公告)号: | CN116253285A | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 卜德冲;范坤;罗大杰 | 申请(专利权)人: | 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 查薇 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种MEMS器件及其制备方法,该方法包括:提供衬底,所述衬底上设置有金属层,所述金属层包括延远离所述衬底的方向依次设置的粘附金属层和引线金属层;刻蚀所述引线金属层,形成图形化的所述引线金属层;形成包覆所述引线金属层的图形化的第一光刻胶层;以所述图形化的第一光刻胶层为阻挡层,刻蚀所述粘附金属层,形成图形化的双层金属走线。这样能有效避免对粘附金属层的过刻蚀,避免出现底切现象,保证金属引线的可靠性,进一步保证MEMS器件的可靠性、电学性能和良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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