[发明专利]一种防止信号串扰的焦平面阵列器件及其制作方法在审
申请号: | 202211597903.3 | 申请日: | 2022-12-12 |
公开(公告)号: | CN116111002A | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 曾磊;杨简遥;张舟;熊祎灵;彭旭 | 申请(专利权)人: | 武汉光谷量子技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/107;H01L31/0224;H01L31/0216 |
代理公司: | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 董婕 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本申请涉及一种防止信号串扰的焦平面阵列器件及其制作方法,包括如下步骤:在衬底表面制作依次包括第一接触层、吸收层、第二接触层、腐蚀停刻层的外延层;刻蚀外延层以形成焦平面阵列台面;焦平面阵列台面表面制备钝化膜;刻蚀去除焦平面阵列台面底部的钝化膜;然后在底部和侧壁沉积金属电极层;依次进行In柱制作、读出电路安装和胶体填充;去除衬底和腐蚀停刻层;刻蚀底部的第二接触层,裸露出金属电极层;在第二接触层表面制作增透膜;在裸露的金属电极层表面制作背电极。本申请通过台面侧壁生长金属电极层及利用刻蚀背面接触层的方式,将屏蔽现有深台面阵列器件存在的两种串扰路径,从而达到进一步抑制焦平面阵列像元之间信号串扰的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 防止 信号 平面 阵列 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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