[发明专利]光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备在审
| 申请号： | 202211600688.8 | 申请日： | 2022-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN116339084A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 王荣栋;杨云春;陆原;张拴;马诗潇 | 申请（专利权）人： | 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 王春艳 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备，该光刻胶刻蚀液包括：二甲基亚砜、四氢呋喃和异丙醇。通过二甲基亚砜作为主要的光刻胶去除剂，提高光刻胶刻蚀质量，通过四氢呋喃作为黏度调节剂和次要的光刻胶去除剂，进一步增加光刻胶刻蚀液的刻蚀能力，并提高光刻胶刻蚀液的流动性，增强光刻胶刻蚀液对于细小缝隙处的光刻胶的刻蚀能力，通过异丙醇去除已经被溶解的光刻胶和四氢呋喃及二甲基亚砜的混合溶液，提高光刻胶刻蚀液的刻蚀效率，因此，通过上述光刻胶刻蚀液可以提高光刻胶的刻蚀效率和刻蚀质量，缩短刻蚀时间，节约刻蚀成本。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 刻蚀 同轴 牺牲 释放 方法 相关 设备 | ||
【主权项】：
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