[发明专利]一种新型大功耗芯片封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 202211611941.X | 申请日： | 2022-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN115662965A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 孙思成;马阳;李力力;王洪全 | 申请（专利权）人： | 成都华兴大地科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/14;H01L23/498;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新型大功耗芯片封装结构及封装方法，从上至下依次包括钼铜载板、裸芯片层、陶瓷基板、球状焊盘、金属盖板；裸芯片层位于钼铜载板的底部，球状焊盘设置在陶瓷基板底层，在陶瓷基板内侧设有多层台阶结构，台阶结构上的金属焊盘通过金丝与裸芯片层上的芯片互联；钼铜载板的上表面是整个封装结构的散热面。本发明结构中钼铜载板和陶瓷基板均有气密特性，并通过金属盖板的平行封焊完成整个结构腔体的气密。保证了该封装结构可以在湿热、烟雾、霉菌等恶劣环境下长期可靠的工作。裸片与基板采用共晶烧结可以将空洞率控制在30%以内，进一步提高导热及散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 功耗 芯片 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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