[发明专利]一种高sp3

摘要

本发明公开了一种高sp3C含量的含氢碳基薄膜及其制备方法，步骤包括将表面经过处理后的导电金属工件置于真空镀膜装置的真空室中，真空室内安装了至少一个磁控靶阴极和至少一个离化源电极，采用等离子体对导电金属工件的表面进行刻蚀活化；采用磁控溅射的方式先沉积靶材Me层，然后沉积靶材Me与C混合的含碳梯度层Me/C层，从而形成Me‑Me/C过渡层；采用至少一个离化源电极在Me‑Me/C过渡层上制备厚度为1～6微米的含氢碳基涂层，得到高sp3C含量的含氢碳基薄膜。采用本发明方法制得的高sp3C含量的含氢碳基薄膜的生长速率达到100～150nm/min，含氢碳基涂层的sp3C体积含量超过45％。