[发明专利]一种利用离子布植技术制备的RWG型DFB激光器的制作方法在审
| 申请号： | 202211628590.3 | 申请日： | 2022-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN116131097A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 齐通通;林谷彦;罗海林 | 申请（专利权）人： | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/02;H01J37/317 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊;薛金才 |
| 地址： | 362700 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种利用离子布植技术制备的RWG型DFB激光器的制作方法，将三英寸InP半绝缘衬底放入MOCVD腔体中，进行700℃高温的进行烘烤，并在480℃时开始通入PH3，来去除衬底表面的氧化物并改善表面生长质量；接着生长P‑InP、N‑InP和P‑InP结构来进一步抑制电流向衬底的扩散；步骤2：接着依次生长：N‑InP缓冲层、N‑InAlAs电子阻挡层、不掺杂InAlGaAs下波导层、InAlGaAs应变多量子阱和垒结构、不掺杂InAlGaAs上波导层、P‑InAlAs电子阻挡层、P‑InP间隔层、P‑InGaAsP光栅层、P‑InP保护层，完成Basewaferd的生长；应用本技术方案可实现缩减制备工艺和流程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 离子 技术 制备 rwg dfb 激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建中科光芯光电科技有限公司，未经福建中科光芯光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211628590.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
