[发明专利]大尺寸器件光刻拼接系统、方法、存储介质及设备在审
申请号: | 202211634484.6 | 申请日: | 2022-12-19 |
公开(公告)号: | CN116088277A | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 汪宁;黄尊恺;田犁;祝永新;汪辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海高等研究院 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 倪静 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本申请提供大尺寸器件光刻拼接系统、方法、存储介质及设备,本发明采用CMOS图像传感器像素级拼接技术,对CIS芯片进行拼接和像素扩展,通过光刻技术方案实现像素的二维柔性扩展,以解决光刻机视场不足导致的像素尺寸无法无限增大的技术需求,同时通过对位精度校准解决了拼接过程中出现的拼接缺陷,并采用不同区域曝光最大限度减少重复曝光次数,以提高拼接效率和拼接精度,从而实现亿万级像素二维可扩展拼接,提高CIS芯片的像素大小和分辨率,使其能达到天文观测、宇航工程等领域的应用需求。 | ||
搜索关键词: | 尺寸 器件 光刻 拼接 系统 方法 存储 介质 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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