[发明专利]大尺寸器件光刻拼接系统、方法、存储介质及设备在审

专利信息
申请号: 202211634484.6 申请日: 2022-12-19
公开(公告)号: CN116088277A 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 汪宁;黄尊恺;田犁;祝永新;汪辉 申请(专利权)人: 中国科学院上海高等研究院
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 倪静
地址: 201210 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请提供大尺寸器件光刻拼接系统、方法、存储介质及设备,本发明采用CMOS图像传感器像素级拼接技术,对CIS芯片进行拼接和像素扩展,通过光刻技术方案实现像素的二维柔性扩展,以解决光刻机视场不足导致的像素尺寸无法无限增大的技术需求,同时通过对位精度校准解决了拼接过程中出现的拼接缺陷,并采用不同区域曝光最大限度减少重复曝光次数,以提高拼接效率和拼接精度,从而实现亿万级像素二维可扩展拼接,提高CIS芯片的像素大小和分辨率,使其能达到天文观测、宇航工程等领域的应用需求。
搜索关键词: 尺寸 器件 光刻 拼接 系统 方法 存储 介质 设备
【主权项】:
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