[发明专利]用于硬掩模的金属介电膜的沉积在审
| 申请号： | 202211640544.5 | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN116013767A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 法亚兹·谢赫;西丽斯·雷迪 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/32;C23C16/34;C23C16/509 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于硬掩模的金属介电膜的沉积。用于在衬底上沉积金属介电膜的系统和方法包括：将衬底布置在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理室中；供给载气至所述PECVD处理室；供给介电前体气体至所述PECVD处理室；供给金属前体气体至所述PECVD处理室；在所述PECVD处理室中产生等离子体；以及在低于500℃的处理温度下，在所述衬底上沉积金属介电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 硬掩模 金属 介电膜 沉积 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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