[发明专利]器件芯片的制造方法在审
| 申请号： | 202211642149.0 | 申请日： | 2022-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN116314023A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 小川雄辉;渡部晃司;桥本一辉;青柳元 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;杨俊波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供器件芯片的制造方法，在将所制造的器件芯片层叠而热压接时不会产生芯片不良。器件芯片的制造方法分割被加工物而制造器件芯片，被加工物具有正面和背面，正面由多条交叉的分割预定线划分，在正面的被划分的各区域内设置有器件，其中，器件芯片的制造方法包含如下的步骤：加工槽形成步骤，沿着分割预定线加工被加工物而形成加工槽；树脂层形成步骤，在加工槽形成步骤之后，在被加工物的正面侧形成树脂层；以及树脂层分割步骤，在树脂层形成步骤之后，沿着被加工物的分割预定线分割树脂层。优选还包含在树脂层分割步骤之前在被加工物的背面侧粘贴带的带粘贴步骤，在树脂层分割步骤中，通过将粘贴于被加工物的背面侧的带扩张而将树脂层分割。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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