[发明专利]一种MPCVD同质外延扩大单晶金刚石晶面的工艺方法

摘要

本发明涉及一种MPCVD同质外延扩大单晶金刚石晶面的工艺方法，主要包含一下步骤：1、将金刚石衬底通过仔细清洗后装载到基片台上，放入MPCVD腔体并抽真空至本底；2、通入反应气体至腔体气压达到5Torr，开启微波源形成等离子体，逐步提高反应腔压强和微波功率，使金刚石衬底温度达到刻蚀温度；3、通入刻蚀气体，刻蚀60‑90min后，完成刻蚀；4、通入碳源气体，调整腔体气压、微波功率使金刚石衬底温度达到工艺温度，开始生长金刚石；5、持续生长至达到金刚石目标厚度后，缓慢降低微波功率、腔体气压，缓慢降温至关机后，取出金刚石衬底，从而获得晶面扩大后的单晶金刚石。