[发明专利]多波段紫外光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 202211650322.1 | 申请日: | 2022-12-21 |
公开(公告)号: | CN116314424A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 刘宇航;许佼;王留毅;郭登极;王序进;林建军;郭镇斌 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 曹柳 |
地址: | 518060 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请属于光电技术领域,尤其涉及一种多波段紫外光电探测器及其制备方法。其中,多波段紫外光电探测器包括依次叠层贴合设置的基底、紫外光探测层和二维功能层,以及与紫外光探测层和二维功能层同时形成欧姆接触的第一电极和第二电极;二维功能层中负载有量子点。本申请提供的多波段紫外光电探测器,充分利用紫外光探测层在日盲波段的光电探测能力,二维材料的可见光到近红外光的光电探测能力,量子点强大的光吸收能力和较强的载流子吸收能力,通过各功能层的结合,器件同时具有宽光谱、高响应度、快速响应等特性。可广泛应用于集成光电子器件设计、制造与工艺技术等微电子技术领域,以及半导体发光技术、平板显示器件等新型电子元器件领域。 | ||
搜索关键词: | 波段 紫外 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的