[发明专利]一种碳化硅涂层石墨基座及其制备方法

摘要

本申请公开了一种碳化硅涂层石墨基座及其制备方法，其中制备方法为首先采用CVR技术在石墨基座的表面形成SiC基层，接着采用HPCVD技术在SiC基层上形成SiC中间层，最后采用LPCVD技术在SiC中间层上形成SiC外层，其中，SiC基层与石墨基座结合紧密，SiC中间层与SiC基层之间没有明显的界面，有效提高了整个涂层的致密度以及涂层与石墨基座的结合强度，并且SiC中间层在高压力作用下沉积速度加快，有效降低了制作成本；涂层厚度达到100μm时，仅需要小于或等于10h的总沉积时间，节约了生产成本，更有利于产业化；SiC外层光滑且致密，有效地降低了表面粗糙度。