[发明专利]一种低导通电阻的MOSFET功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202211651952.0 | 申请日： | 2022-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN116110938A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 黄汇钦 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请属于半导体技术领域，提供了一种低导通电阻的MOSFET功率器件及其制备方法，低导通电阻的MOSFET功率器件包括：半导体衬底、N型漂移区、P型阱区、P型掺杂区、源极掺杂区、源极、栅极、栅极介质层以及漏极。当MOSFET功率器件的栅极的电压超过了阈值电压，使得与栅极介质层接触的P型掺杂区和P型阱区的位置形成的通道都导通时，则MOSFET功率器件开始工作，由于P型掺杂区的导通电阻较小，因此可以使得MOSFET功率器件在工作时具有较小的导通电阻，如此使得在降低MOSFET功率器件导通电阻的同时还能使得MOSFET功率器件可以具有较大的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 mosfet 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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