[发明专利]一种MOCVD生长的半导体材料P型掺杂方法在审
| 申请号： | 202211652164.3 | 申请日： | 2022-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN115821375A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 赵迎春;熊敏;李付锦 | 申请（专利权）人： | 中科纳米张家港化合物半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;H01L21/02;H01L21/223;C30B29/40 |
| 代理公司： | 苏州启华专利代理事务所(普通合伙) 32357 | 代理人： | 徐伟华 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOCVD生长的半导体材料P型掺杂方法，其在铟镓砷或磷化铟外延层生长过程中分步进行P型掺杂和N型掺杂，本发明的掺杂方法可以有效抑制锌掺杂的扩散效应同时由于掺杂所用温度较高，可以获得较高的材料质量，工艺难度低、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mocvd 生长 半导体材料 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
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