[发明专利]一种抑制面心立方高熵合金中有害晶界析出相析出的晶界调控工艺在审
| 申请号： | 202211664645.6 | 申请日： | 2022-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN115852276A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 韩冬;杨柏俊;孙文海;王晓明;韩国峰;蔡少鑫;吕威闫;王建强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C22F1/00 | 分类号： | C22F1/00;C22C30/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抑制面心立方高熵合金中有害晶界析出相析出的晶界调控工艺，属于共格析出强化面心立方高熵合金领域。该工艺包括高温固溶、小变形冷轧、短时退火和水淬四个步骤；所制备的共格析出强化面心立方高熵合金中低能态晶界比例高于70％，其中Σ3晶界比例大于60％。该方法对晶界析出相析出行为的抑制作用有望显著提成合金与晶界相关的性能，促进共格析出强化面心立方高熵合金在苛刻使役环境下的应用。此外，该方法采用的小变形冷轧和短时退火工艺可有效降低材料的生产成本，缩短制造周期，具有显著经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 立方 合金 有害 析出 调控 工艺 | ||
【主权项】：
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