[发明专利]半导体器件及其制备方法、存储器及电子设备有效
| 申请号： | 202211665514.X | 申请日： | 2022-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN115915757B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 张鑫;田超;平延磊 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杨明莉 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体器件及其制备方法、存储器及电子设备，其中方法包括：提供目标衬底，目标衬底内形成有沿第一方向由初始第一隔离结构间隔排布的多个有源柱，有源柱沿第二方向的相对两侧形成有初始第二隔离结构；初始第二隔离结构包括绝缘柱及包覆绝缘柱的外侧面及底面的初始衬垫层；于有源柱的裸露侧壁形成保护层；去除初始衬垫层及初始第一隔离结构的顶部，以得到暴露出绝缘柱的顶部的目标间隙；于目标间隙内形成栅极结构，以至少有效避免VGAA晶体管的栅极结构与源极结构之间漏电的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 存储器 电子设备 | ||
【主权项】：
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