[发明专利]一种图像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 202211672451.0 | 申请日： | 2022-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN115763515A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 李岩;范春晖;赵庆贺;夏小峰;刘正 | 申请（专利权）人： | 合肥海图微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海汉之律师事务所 31378 | 代理人： | 冯华 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高新区望*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种图像传感器，包括：衬底，衬底中设置有浅槽隔离结构，且衬底被浅槽隔离结构分隔出多个有源区；栅极结构，设置在衬底上；多个金属层，堆叠在栅极结构上；像素阵列结构，设置在衬底上；多个导电栓塞，一端连接于栅极结构或浅槽隔离结构或有源区，另一端连接于金属层；以及多个导热栓塞，连接于金属层，导热栓塞朝靠近衬底的方向延伸，且导热栓塞在衬底上的正投影位于有源区内。本发明提供了一种图像传感器及其制造方法，能够改善图像传感器暗电流的一致性，提升图像传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥海图微电子有限公司，未经合肥海图微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211672451.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
