[发明专利]一种自适应耗尽空穴路径的新型IGBT结构在审
| 申请号： | 202211672606.0 | 申请日： | 2022-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN115763535A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 伍伟;喻明康;高崇兵 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种自适应耗尽空穴路径的新型IGBT结构，该结构在常规IGBT结构的基础上，在P型浮空区上方引入低掺杂的P‑掺杂区。该P‑掺杂区会在器件刚开启时提供空穴路径并钳位P型浮空区的电位，从而降低位移电流，提高栅极可控性，降低EMI。随着栅极电压的不断增大，P‑掺杂区被两侧栅极逐渐耗尽，空穴路径关闭，P型浮空区的电位逐渐增大，载流子注入效应增强，保证导通压降不受影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自适应 耗尽 空穴 路径 新型 igbt 结构 | ||
【主权项】：
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