[发明专利]易失存储器类器件抗单粒子效应能力在轨试验方法和系统在审
| 申请号： | 202211679428.4 | 申请日： | 2022-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN116129980A | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 魏志超;孙毅;邓峥;梅博;刘迎辉;张竞择;怀娜娜 | 申请（专利权）人： | 中国空间技术研究院 |
| 主分类号： | G11C29/06 | 分类号： | G11C29/06;G11C29/56 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张欢 |
| 地址： | 100194 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种易失存储器类器件抗单粒子效应能力在轨试验方法，包括步骤如下：易失型存储器上电写入测试图形码，前1/4地址段写入0XFF，第二个1/4地址段写入0X00，后1/2地址段写入0X5A，定时读取器件数据，根据器件数据错误类型判断器件是否发生单粒子效应，记录效应次数、错误地址、错误数据，将数据发送至在轨试验设备并进行下传。通过对在轨试验数据进行分析，判断器件发生的效应单粒子效应类型，并对其进行统计分析，最终得出器件在轨单粒子错误概率，得出器件单粒子效应敏感性。本发明解决了随着半导体制造工艺变小而导致地面单粒子模拟试验结果不准确的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 器件 粒子 效应 能力 试验 方法 系统 | ||
【主权项】：
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