[发明专利]用于先进的集成电路结构制造的栅极线插塞结构在审
| 申请号： | 202211681709.3 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN115732568A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | B.何;M.L.哈滕多夫;C.P.奥思 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/48;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;吕传奇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例属于先进的集成电路结构制造的领域，并且具体为10纳米节点以及更小的集成电路结构制造和所得到的结构。在示例中，一种集成电路结构包括具有沿着第一方向的最长尺寸的第一硅鳍片。具有最长尺寸的第二硅鳍片沿着第一方向。绝缘体材料处于第一硅鳍片与第二硅鳍片之间。栅极线沿着第二方向在第一硅鳍片之上并且在第二硅鳍片之上，第二方向与第一方向正交，栅极线具有第一侧和第二侧，其中栅极线在绝缘体材料之上具有中断，该中断被电介质插塞填充。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 先进 集成电路 结构 制造 栅极 线插塞 | ||
【主权项】：
暂无信息
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