[发明专利]鳍式晶体管及形成方法在审
| 申请号： | 202211693294.1 | 申请日： | 2022-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN116190447A | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 黄琨;赵立新 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍式晶体管及形成方法，所述鳍式晶体管通过栅极结构的顶栅部以相连设于沟道区的至少一侧的侧栅部。源区、漏区及所述沟道区的顶面相平齐且宽度一致，所述栅极结构与所述源区和/或所述漏区之间不存在额外的寄生电容，并避免套刻偏差造成的性能下降。所述侧栅部的部分顶面低于源区和/或漏区并具有上小下大形状，所述源区及所述漏区夹设于两所述侧栅部之间，降低了工艺难度。所述鳍式晶体管既增加导通电流的截面积，同时还提高沟道表面开启程度，具有更高的驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
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