[发明专利]一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202211693735.8 | 申请日： | 2022-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN115799339A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 麻泽众;杨乐;李铁生;陈桥梁 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市经济技术开发*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种屏蔽栅沟槽MOSFET结构及其制造方法，所述屏蔽栅沟槽MOSFET结构包括沟槽内部的栅极多晶硅和源极多晶硅，栅极多晶硅与源极多晶硅被中间氧化层相隔离，源极多晶硅和沟槽侧壁之间的绝缘介质膜由氧化层、氮化硅和氧化层组成，源极多晶硅和沟槽底部之间的绝缘介质膜由氧化层组成；在漏极承受反向偏置时，源极多晶硅对漂移区进行横向耗尽，从沟槽的顶部到底部方向上，氮化硅夹层会使漂移区的电场分布更加均匀。本发明所述屏蔽栅沟槽MOSFET结构能提高器件的击穿电压，降低器件的比导通电阻，进一步提高屏蔽栅沟槽MOSFET的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 沟槽 mosfet 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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