[发明专利]一种以SiO2 在审
| 申请号： | 202211695420.7 | 申请日： | 2022-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN115986010A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 严利民;华鹏程;曹进;陈强;项虎迥;田辉辉 | 申请（专利权）人： | 上海艾克森电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44;H01L33/02 |
| 代理公司： | 上海助之鑫知识产权代理有限公司 31328 | 代理人： | 王风平 |
| 地址： | 200241 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种以SiO2覆盖的方式阻碍GaN内位错生长的方法，步骤S1：在MOCVD反应室内，在蓝宝石衬底上制备GaN形核层，步骤S2：刻蚀将衬底及GaN转移出反应室，使用KOH进行选择性刻蚀；步骤S3：沉积二氧化硅将衬底转移至PECVD反应室中，在形核层表面沉积一层SiO2薄膜；步骤S4：刻蚀氧化硅使用光刻刻蚀去除表面的SiO2薄膜；步骤S5：继续生长氮化镓将衬底转移入MOCVD反应室内，继续进行GaN外延生长。本发明利用氮化镓材料存在缺陷处与不存在缺陷处腐蚀速率不同的原理，可通过选择性腐蚀在存在穿通位错的的部位形成腐蚀坑。在氮化镓表面沉积SiO2可以阻碍穿通位错的进一步生长，使用光刻手段去除沉积的SiO2可以精准控制光刻后GaN形核层表面是否有SiO2，降低后续生长的GaN的穿通位错密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sio base sub | ||
【主权项】：
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