[发明专利]一种新型P型晶体硅太阳电池的制备方法在审
| 申请号： | 202211697343.9 | 申请日： | 2022-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN116544299A | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 钱洪强;周海龙;张俊巍;李怡洁;王晓蕾 | 申请（专利权）人： | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 彭益波 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新型P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括对P型单晶硅片的正面制绒，和形成磷摻杂面，制备选择性发射极；且采用单卡位单插的方式放置，在P型单晶硅片的正面和背面同时形成AlOx层，然后在背面沉积SiNx层，以及在背面采用刻蚀浆料开孔，刻蚀掉开孔部位的氧化铝层和氮化硅层，形成电极。本发明通过在正面和背面形成全覆盖的AlOx层且正面的AlOx层位于SiNx层上方，实现了折射率的变化次序，更有利于光线的全反射，背面刻蚀形成触点，增加电池对入射光的有效吸收，提升电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 晶体 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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