[发明专利]一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构

摘要

本发明公开了一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构，包括在半导体衬底上外延In组分呈纺锤型递变的InGaAs外延层作为缓冲层。该缓冲层结构适用于半导体衬底上制备高In组分的InGaAs红外探测器，特别是波长大于1.7μm的InxGa1‑xAs(x0.53)探测器的制备，提高了制备高In组分InGaAs探测器在衬底选择上的自由度和结构选择上的多样性。由于纺锤型缓冲层呈现上下对称的结构，所以缓冲层中的应力状态可以更有效的阻止穿透位错等缺陷往缓冲层以上的器件有源区蔓延，有望提高吸收层的结晶质量，改善器件性能。纺锤型缓冲层思想对于其他较大失配材料体系的生长同样具有借鉴意义，具有很好的通用性，减小了失配材料生长对于衬底的束缚。