[发明专利]一种集成电路晶片及其制造方法在审
| 申请号： | 202211710673.7 | 申请日： | 2022-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN116053190A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 卢珂;柳会雄 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/71 | 分类号： | H01L21/71;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高雪 |
| 地址： | 201807 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶片制造领域，特别是涉及一种集成电路晶片及其制造方法，通过在硅片基底的正面进行有源区光刻洗边；设置栅极光刻的图形掩膜层并洗边，得到栅极光刻前置物；在所述栅极光刻前置物的正面设置栅极光刻层并洗边；所述栅极光刻层的洗边边缘位于所述图形掩膜层的洗边边缘及所述有源区的洗边边缘之间；对设置过所述栅极光刻层的栅极光刻前置物进行光刻及刻蚀，得到晶片前驱体；沉积填充复合层；对所述填充复合层进行平坦化抛光；刻蚀去除所述伪多晶硅栅并在所述晶片前驱体的正面设置金属栅，得到所述集成电路晶片。本发明实现了低成本与低金属的晶边残留的兼顾。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
