[发明专利]一种氧化亚硅负极材料及其制备方法

摘要

本发明提供了一种氧化亚硅负极材料及其制备方法，包括碳包覆层，和被碳包覆层包覆的SiOx/C材料，SiOx/C材料内部均匀分布有空位，空位内部含有Al2O3颗粒；负极材料中SiOx含量为70‑95wt％，C含量为3‑25wt％，Al2O3含量为0.2‑5wt％；负极材料平均粒径为2‑30μm，比表面积为1‑15m2/g。本发明制备的氧化亚硅负极材料制备成本低，材料内外结构均一，具有较高的比容量和良好的循环稳定性；颗粒内的Al2O3在充放电过程中形成具有良好锂离子导电能力的偏铝酸锂，促进离子在颗粒内部的迁移，提高SiOx的倍率性能。